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IRFR3708

更新时间： 2024-09-09 22:40:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 130K
描述
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12.5mohm, Id=61A)

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IRFR3708 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.65雪崩能效等级（Eas）：213 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.0125 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：244 A
表面贴装：YES端子面层：NOT SPECIFIED
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR3708 数据手册

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PD - 93935B  
IRFR3708  
IRFU3708  
SMPS MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Frequency DC-DC Isolated Converters  
with Synchronous Rectification for Telecom  
and Industrial Use  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
ID  
61A  
„
12.5mΩ  
l High Frequency Buck Converters for  
Computer Processor Power  
Benefits  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
D-Pak  
IRFR3708  
I-Pak  
IRFU3708  
and Current  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
30  
V
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 12  
61 „  
51 „  
244  
87  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
A
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Maximum Power Dissipationƒ  
Maximum Power Dissipationƒ  
Linear Derating Factor  
W
W
61  
0.58  
W/°C  
°C  
TJ , TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 175  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
Max.  
1.73  
50  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
–––  
–––  
–––  
Junction-to-Ambient (PCB mount)*  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
*
When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .  
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994  
Notes  through „are on page 9  
www.irf.com  
1
8/22/00  
1234567...9

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IRFR3708 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR3708TRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3708TRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3708PBF INFINEON

类似代替

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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3708TRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3708TRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3708TRR INFINEON

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