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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR3707ZCTRRPBF
IRFR3707ZCTRRPBF PDF预览

IRFR3707ZCTRRPBF

更新时间： 2024-01-05 00:42:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 137K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

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IRFR3707ZCTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, DPAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.1
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：42 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：56 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.0095 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR3707ZCTRRPBF 数据手册

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PD - 93934B  
IRFR3707  
IRFU3707  
SMPS MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Frequency DC-DC Isolated  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial use  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
ID  
61A  
„
13mΩ  
l High Frequency Buck Converters for  
Computer Processor Power  
Benefits  
l Ultra-Low RDS(on)  
l Very Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D-Pak  
IRFR3707  
I-Pak  
IRFU3707  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
30  
± 20  
61 „  
51 „  
244  
87  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
V
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
A
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 70°C  
Maximum Power Dissipationƒ  
Maximum Power Dissipationƒ  
Linear Derating Factor  
W
W
61  
0.59  
mW/°C  
°C  
TJ , TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 175  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
Max.  
1.73  
50  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
–––  
–––  
–––  
Junction-to-Ambient (PCB mount)*  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
*
When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .  
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994  
Notes  through „are on page 9  
www.irf.com  
1
8/22/00  
1234567...9

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