是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.75 |
雪崩能效等级(Eas): | 220 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 30 A | 最大漏源导通电阻: | 0.009 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 280 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFR3707 | KERSEMI |
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SMPS MOSFET |
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IRFR3707 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=13mohm, Id= |
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IRFR3707PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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IRFR3707PBF | KERSEMI |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
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IRFR3707TR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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IRFR3707TRL | INFINEON |
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MOSFET N-CH 30V 61A DPAK |
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IRFR3707TRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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IRFR3707TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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IRFR3707TRR | INFINEON |
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MOSFET N-CH 30V 61A DPAK |
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IRFR3707Z | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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