5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR120A
IRFR120A PDF预览

IRFR120A

更新时间： 2024-01-22 05:59:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
7页 257K
描述
Advanced Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFR120A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-252AA
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.08其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：18 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.7 A最大漏极电流 (ID)：8.7 A
最大漏源导通电阻：0.19 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：35 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFR120A 数据手册

 浏览型号IRFR120A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFR120A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR120A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR120A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR120A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR120A的Datasheet PDF文件第7页 
IRFR/U120A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 100 V  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
W
RDS(on) = 0.2  
ID = 8.4 A  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
D-PAK  
I-PAK  
m
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V  
W
Lower RDS(ON) : 0.155 (Typ.)  
2
1
1
2
3
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Value  
100  
8.4  
Units  
VDSS  
V
O
Continuous Drain Current (TC=25 C)  
ID  
A
O
Continuous Drain Current (TC=100 C)  
5.3  
1
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
Drain Current-Pulsed  
34  
A
V
O
+
_
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
20  
2
141  
8.4  
3.2  
6.5  
2.5  
32  
mJ  
A
O
1
O
EAR  
dv/dt  
1
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
V/ns  
W
O
3
Peak Diode Recovery dv/dt  
O
O
*
Total Power Dissipation (T =25  
)
)
C
A
O
PD  
Total Power Dissipation (T =25  
C
W
C
O
Linear Derating Factor  
0.26  
W/ C  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
TJ , TSTG  
- 55 to +150  
300  
O
C
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
Rq  
Junction-to-Case  
--  
--  
--  
3.9  
50  
JC  
O
Rq  
*
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
/W  
C
JA  
RqJA  
110  
*
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IRFR120A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR120ATF FAIRCHILD

获取价格

 		Advanced Power MOSFET
IRFR120ATM FAIRCHILD

获取价格

 		Avalanche Rugged Technology
IRFR120N INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFR120NCLPBF INFINEON

获取价格

 		Surface Mount (IRFR120N)
IRFR120NPBF KERSEMI

获取价格

 		Surface Mount (IRFR120N) Straight Lead (IRFU120N)
IRFR120NPBF INFINEON

获取价格

 		Fast Switching
IRFR120NPBF_15 INFINEON

获取价格

 		ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
IRFR120NTR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120NTR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRFR120NTRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IRFR120A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证