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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.11 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 210 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.027 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR1205TRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR120A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRFR120ATF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRFR120ATM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Avalanche Rugged Technology |
|
| IRFR120N | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFR120NCLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Surface Mount (IRFR120N) |
|
| IRFR120NPBF | KERSEMI |
获取价格 |
Surface Mount (IRFR120N) Straight Lead (IRFU120N) |
|
| IRFR120NPBF | INFINEON |
获取价格 |
Fast Switching |
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| IRFR120NPBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY |
|
| IRFR120NTR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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