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IRFR1205TRR

更新时间： 2024-02-01 18:17:34

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IRFR1205TRR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.1
其他特性：	AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	210 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	44 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.027 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	107 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PD - 95600A

IRFR/U1205PbF

• ^Lead-Free

www.kersemi.com

12/9/04

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR1205TRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR120A	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET
IRFR120ATF	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET
IRFR120ATM	FAIRCHILD	获取价格	Avalanche Rugged Technology
IRFR120N	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFR120NCLPBF	INFINEON	获取价格	Surface Mount (IRFR120N)
IRFR120NPBF	KERSEMI	获取价格	Surface Mount (IRFR120N) Straight Lead (IRFU120N)
IRFR120NPBF	INFINEON	获取价格	Fast Switching
IRFR120NPBF_15	INFINEON	获取价格	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
IRFR120NTR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me