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IRFP9140PBF

更新时间: 2024-02-08 11:20:45
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页数 文件大小 规格书
8页 1732K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

IRFP9140PBF 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.91
Is Samacsys:N配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):19 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

IRFP9140PBF 数据手册

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PD-95991  
IRFP9140PbF  
• Lead-Free  
www.irf.com  
1
12/22/04  

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