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IRFP9140NPBF

更新时间： 2024-01-07 06:53:36

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRFP9140NPBF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	19 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

IRFP9140NPBF 数据手册

PD - 95665

IRFP9140NPbF

HEXFET^®Power MOSFET

l Advanced Process Technology

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l P-Channel

V_DSS= -100V

l Fast Switching

l Fully Avalanche Rated

l Lead-Free

R_DS(on)= 0.117Ω

I_D= -23A

Description

FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifier

utilize advanced processing techniques to achieve

extremely low on-resistance per silicon area. This

benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedized device design that HEXFET Power

MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use

in a wide variety of applications.

The TO-247 package is preferred for commercial-

industrial applications where higher power levels

preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is

similar but superior to the earlier TO-218 package

because of its isolated mounting hole.

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

-23

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -10V

Pulsed Drain Current ꢀ

-16

-76

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

140

W/°C

Linear Derating Factor

0.91

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

± 20

430

Single Pulse Avalanche Energyꢀ

Avalanche Current

-11

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt ꢀ

Operating Junction and

V/ns

-5.0

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

6-32

Mounting

torque,

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

Max.

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

1.1

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

0.24

°C/W

7/30/04

12 3 4 5 6 7...9

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IRFP9140NPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFP9140N	INFINEON	类似代替	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRFP9140PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

与IRFP9140NPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP9140PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFP9140PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP9140R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 19A I(D) \| TO-247
IRFP9141	SAMSUNG	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP9141R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 19A I(D) \| TO-247
IRFP9142	SAMSUNG	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP9142R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-247
IRFP9143	SAMSUNG	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP9143PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
IRFP9143R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-247

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