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IRFP350

更新时间： 2024-01-17 16:51:49
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威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 1569K
描述
Power MOSFET

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IRFP350 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.88雪崩能效等级（Eas）：700 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：180 W
最大功率耗散 (Abs)：180 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：181 ns
最大开启时间（吨）：95 ns

IRFP350 数据手册

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IRFP350, SiHFP350  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
400  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Isolated Central Mounting Hole  
• Fast Switching  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.30  
RoHS*  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
150  
23  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Ease of Paralleling  
80  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
TO-247  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because of its isolated mounting  
hole. It also provides greater creepage distance between  
pins to meet the requirements of most safety specifications.  
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFP350PbF  
SiHFP350-E3  
IRFP350  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP350  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
400  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
16  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
TC =100°C  
10  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
64  
Linear Derating Factor  
1.5  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
390  
16  
EAR  
19  
190  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
T
C = 25 °C  
PD  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
4.0  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 2.7 mH, RG = 25 Ω, IAS = 16 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 16 A, dI/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91225  
S-81360-Rev. A, 28-Jul-08  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFP350-205PBF VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFP350A FAIRCHILD

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 		Advanced Power MOSFET
IRFP350FI ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
IRFP350LC INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A)
IRFP350LC VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFP350LCPBF VISHAY

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 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFP350R ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247
IRFP351 SAMSUNG

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 		N-CHANNEL POWER MOSFETS

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