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IRFP140PBF

更新时间： 2024-01-11 10:58:57
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威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 1829K
描述
Power MOSFET

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IRFP140PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.13Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：31 A最大漏极电流 (ID)：31 A
最大漏源导通电阻：0.077 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：250极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：180 W最大功率耗散 (Abs)：180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFP140PBF 数据手册

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IRFP140, SiHFP140  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
100  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Isolated Central Mounting Hole  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
r
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.077  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
72  
11  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
32  
• Ease of Paralleling  
Configuration  
Single  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
D
TO-247  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
S
D
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because of its isolated mounting  
hole. It also provides greater creepage distance between  
pins to meet the requirements of most safety specifications.  
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFP140PbF  
SiHFP140-E3  
IRFP140  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP140  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
100  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
31  
22  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
A
TC =100°C  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
120  
Linear Derating Factor  
1.2  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
100  
31  
EAR  
18  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
180  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
5.5  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 175  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 156 µH, RG = 25 Ω, IAS = 31 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 28 A, dI/dt ≤ 170 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91202  
S-Pending-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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IRFP140PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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