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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.24 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 270 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (ID)： | 36 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.016 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 210 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFIZ48N-012PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFIZ48N-013 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFIZ48N-013PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFIZ48N-015 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFIZ48N-015PBF | INFINEON |
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36A, 55V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| IRFIZ48N-017 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFIZ48N-018 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFIZ48N-018PBF | INFINEON |
获取价格 |
36A, 55V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| IRFIZ48N-019PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFIZ48N-029PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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