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IRFIZ44NPBF

更新时间： 2024-11-26 03:36:55
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 262K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFIZ44NPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.96Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：210 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：31 A
最大漏源导通电阻：0.024 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFIZ44NPBF 数据手册

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PD - 94836  
IRFIZ44NPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l IsolatedPackage  
l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS ꢀ  
l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm  
l Fully Avalanche Rated  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.024Ω  
G
l Lead-Free  
ID = 31A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional  
insulating hardware in commercial-industrial applications.  
The moulding compound used provides a high isolation  
capability and a low thermal resistance between the tab  
and external heatsink. This isolation is equivalent to using  
a 100 micron mica barrier with standard TO-220 product.  
The Fullpak is mounted to a heatsink using a single clip or  
by a single screw fixing.  
TO-220 FULLPAK  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current †  
31  
22  
A
160  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
45  
0.3  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Single Pulse Avalanche Energy‚†  
Avalanche Current†  
210  
mJ  
25  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ†  
Operating Junction and  
4.5  
mJ  
5.0  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
3.3  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
–––  
65  
11/13/03  
12345678

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IRFIZ44NPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

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