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IRFIZ24-002PBF

更新时间: 2024-11-02 20:40:23
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英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
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1页 66K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFIZ24-002PBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.56
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):14 A最大漏源导通电阻:0.1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):56 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

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