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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-262 | 包装说明： | I2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.66 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 330 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 73 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI730G | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
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| IRFI730G | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFI730GPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFI730GPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFI734 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=450V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.4A) |
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| IRFI734G | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=450V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.4A) |
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| IRFI734G | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFI734GPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFI734GPBF | INFINEON |
获取价格 |
Low Thermal Resistance |
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| IRFI740 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.4A) |
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