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IRFH8307TRPBF

更新时间： 2024-11-09 19:18:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	361K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8

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IRFH8307TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.12
雪崩能效等级（Eas）：	420 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A	最大漏极电流 (ID)：	42 A
最大漏源导通电阻：	0.0021 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-N5	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	156 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFH8307TRPBF 数据手册

StrongIRFET™

IRFH8307PbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DSS

R_DS(on)max

(@ V_GS= 10V)

1.3

m

Qg _(typical)

Rg _(typical)

1.3



I_D

100

(@T_{C (Bottom)}= 25°C)

PQFN 5X6 mm

Applications

OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current

Battery Operated DC Motor Inverters

Features

Benefits

Low R_DSon(<1.3m)

Low Thermal Resistance to PCB (<0.8°C/W)

Low Profile (<0.9 mm)

Lower Conduction Losses

Enable better thermal dissipation

Increased Power Density

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

results in

Industry-Standard Pinout



Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

MSL1, Industrial Qualification

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

Base part number

Package Type

Standard Pack

Orderable Part Number

Form

Tape and Reel

Quantity

4000

IRFH8307PbF

PQFN 5mm x 6 mm

IRFH8307TRPbF

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Gate-to-Source Voltage

Max.

± 20

Units

V_GS

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_D@ T_{C (Bottom)}= 25°C

I_D@ T_{C (Bottom)}= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current 

100

400

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_{C (Bottom)}= 25°C

Power Dissipation 

3.6

Power Dissipation 

156

Linear Derating Factor 

0.029

W/°C

T_J

Operating Junction and

-55 to + 150

°C

T_STG

Storage Temperature Range

Notes  through  are on page 8

www.irf.com

August 01, 2013

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFH8311	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capabil
IRFH8311PBF	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRFH8311PBF_15	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRFH8311TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFH8316PBF	INFINEON	获取价格	Low Thermal Resistance to PCB
IRFH8316PBF_15	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRFH8316TR2PBF	INFINEON	获取价格	Low Thermal Resistance to PCB
IRFH8316TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET
IRFH8318	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capabil
IRFH8318PBF	INFINEON	获取价格	HEXFETPower MOSFET

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