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IRFH7911TRPBF

更新时间： 2024-11-26 12:03:43

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描述
Control and synchronous FET in one package

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IRFH7911TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLATPACK, R-PQFP-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	5.33	其他特性：	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	12 mJ	外壳连接：	DRAIN SOURCE
配置：	SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	28 A	最大漏极电流 (ID)：	13 A
最大漏源导通电阻：	0.0086 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PQFP-N6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.4 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFH7911TRPBF 数据手册

PD - 97427D

IRFH7911PbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 10V)

Q_{g (typical)}

8.6

8.3

3.0

I_D

(@T_A= 25°C)

Dual PQFN 5X6 mm

Applications

• Control and synchronous MOSFET for buck converters

Features and Benefits

Features

Benefits

Increased power density

(50% vs two PQFN 5x6)

Lower switching losses

Control and synchronous FET in one package

Low charge control MOSFET (8.3 nC typical)

Low R_DSonsynchronous MOSFET (< 3.0 mΩ)

100% Rg tested

Lower conduction losses

results in

⇒

Increased reliability

Low Profile (≤ 0.9 mm)

Increased power density

Easier manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased reliability

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

MSL2, Consumer Qualification

Orderable part number

Package Type

Standard Pack

Note

Form

Quantity

IRFH7911TRPBF

IRFH7911TR2PBF

PQFN 5mm x 6mm

Tape and Reel

4000

400

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Q1 Max.

Q2 Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 20

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

100

2.4

1.5

230

3.4

2.2

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.019

0.027

W/°C

°C

T_J

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Thermal Resistance

Parameter

Q1 Max.

7.7

Q2 Max.

2.5

Units

Junction-to-Case

R_θJC

°C/W

Junction-to-Ambient

R_θJA

www.irf.com

07/11/12

12 3 4 5 6 7...10

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IRFH7914TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFH7921PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFH7921TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFH7923PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
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