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| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.58 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9530NSTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
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| IRF9530NSTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) |
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| IRF9530NSTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
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| IRF9530PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
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| IRF9530PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF9530S | SEME-LAB |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
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| IRF9530S | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9530S, SiHF9530S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF9530SMD | SEME-LAB |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
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| IRF9530SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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