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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 400 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9530-024PBF | VISHAY |
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TRANSISTOR 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpo |
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| IRF9530-220M | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
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| IRF9530F | INFINEON |
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TRANSISTOR 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Pow |
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| IRF9530FX | INFINEON |
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TRANSISTOR 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Pow |
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| IRF9530FXPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| IRF9530N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) |
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| IRF9530N | FREESCALE |
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HEXFET® Power MOSFET |
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| IRF9530N | KERSEMI |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
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| IRF9530NL | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) |
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| IRF9530NLPBF | INFINEON |
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Advanced Process Technology Surface Mount |
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