5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.63 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9523-006 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 80V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF9530 | ROCHESTER |
获取价格 |
12A, 100V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| IRF9530 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF9530 | INTERSIL |
获取价格 |
12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
|
| IRF9530 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTORS |
|
| IRF9530 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF9530 (KRF9530) | KEXIN |
获取价格 |
P-Channel MOSFET |
|
| IRF9530-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF9530-009PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF9530-010 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpo |
|
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
