IRF840ASTRL

更新时间： 2024-11-29 05:39:27

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Power MOSFET

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IRF840ASTRL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.01
雪崩能效等级（Eas）：	510 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.85 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF840ASTRL 数据手册

IRF840AS, IRF840AL, SiHF840AS, SiHF840AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.85

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

COMPLIANT

Ruggedness

9.0

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully

Characterized

Capacitance

and

Avalanche Voltage and Current

Configuration

Single

• Effective C_ossSpecified

• Lead (Pb)-free Available

D²PAK

(TO-263)

I²PAK

(TO-262)

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Two Transistor Forward

• Half Bridge

N-Channel MOSFET

• Full Bridge

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF840ASTRRPbF^a

SiHF840ASTR-E3^a

IRF840ASTRR^a

SiHF840ASTR^a

I²PAK (TO-262)

IRF840ALPbF

SiHF840AL-E3

IRF840AL

IRF840ASPbF

SiHF840AS-E3

IRF840AS

IRF840ASTRLPbF^a

SiHF840ASTL-E3^a

IRF840ASTRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF840AS

SiHF840ASTL^a

SiHF840AL

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

8.0

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

5.1

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

510

8.0

E_AR

_C= 25 °C

125

Maximum Power Dissipation

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

3.1

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

dV/dt

5.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Temperature

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 16 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 8.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 8.0 A, dI/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRF840A/SiH840A data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91066

S-81412-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF840ASTRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840ASTRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840ASTRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840B	FAIRCHILD	获取价格	500V N-Channel MOSFET
IRF840B	VISHAY	获取价格	D Series Power MOSFET
IRF840B_05	FAIRCHILD	获取价格	500V N-Channel MOSFET
IRF840BJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF840D1	MOTOROLA	获取价格	8A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF840F	ETC	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(188.09 k)
IRF840FI	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

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