IRF840APBF

更新时间： 2024-02-19 08:29:56

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Power MOSFET

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IRF840APBF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.85 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	125 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON

IRF840APBF 数据手册

IRF840A, SiHF840A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.85

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

Q_g(Max.) (nC)

9.0

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Effective C_ossSpecified

• Lead (Pb)-free Available

TO-220

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptable Power Supply

• High Speed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Two Transistor Forward

• Half Bridge

N-Channel MOSFET

• Full Bridge

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRF840APbF

SiHF840A-E3

IRF840A

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF840A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

8.0

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

5.1

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

510

8.0

E_AR

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

_C= 25 °C

P_D

125

5.0

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 16 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 8.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 8.0 A, dI/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91065

S-81275-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

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IRF840APBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF840APBF	VISHAY	当前型号	Power MOSFET
STP7N52K3	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 525 V, 0.84 Ω, 6.3 A, D2PAK, DPAK,
STP5NK50Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK
STP9NK50Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 500V - 0.72ohm - 7.2A TO-220/TO-220

与IRF840APBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF840AS	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840AS	TRSYS	获取价格	Power MOSFET
IRF840AS	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.85ohm, Id=8.0A)
IRF840AS, SiHF840AS, IRF840AL, SiHF840AL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840AS_04	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF840ASPBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF840ASPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840ASTRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840ASTRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840ASTRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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