IRF840AL

更新时间： 2024-02-15 01:39:10

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.85ohm, Id=8.0A)

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IRF840AL 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.85 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	125 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON

IRF840AL 数据手册

PD- 91901B

IRF840AS

IRF840AL

HEXFET^®Power MOSFET

SMPS MOSFET

Applications

V_DSS

500V

R_DS(on)max

I_D

8.0A

l Switch Mode Power Supply (SMPS)

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

0.85Ω

Benefits

l Low Gate Charge Qg Results in Simple

Drive Requirement

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic

dv/dt Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and

Avalanche Voltage and Current

l Effective Coss Specified (See AN 1001)

D²Pak

IRF840AS

TO-262

IRF840AL

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

8.0

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

5.1

P_D@T_C= 25°C

P_D@T_A= 25°C

125

Power Dissipation

3.1

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 30

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

5.0

V/ns

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Typical SMPS Topologies

l Two Transistor Forward

l Haft Bridge

l Full Bridge

Notes through are on page 10

www.irf.com

12/16/99

12 3 4 5 6 7...10

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