IRF840A

更新时间： 2024-11-29 04:23:19

品牌	Logo	应用领域
TRSYS		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
1页	141K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF840A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Base Number Matches：	1

IRF840A 数据手册

IRF840A

Power MOSFET

V_{DSS =}500V, R_DS(on)= 0.85 ohm, I_D= 8.0 A

Drain

N Channel

Symbol

Gate

Source

Drain

ELECTRICAL CHARACTERISICS at

C Maximum. Unless stated Otherwise

Value

Tj = 25

Unit

Parameter

Symbol

V_(BR)DSS

Test Conditions

Typ

Max

Min

500

Volt

V_GS= 0 V_DC,I_D= 250µA

Drain to Source Breakdown Voltage

Drain to Source Leakage Current

V_DS= 500V_DC, V_GS= 0V_DC

V_DS= 400V_DC, V_GS= 0V_DC

I_DSS

250

µA

Tj=125

V_GS= +30V_DC

100

-100

I_GSS

V_GS(th)

Gate to Source Leakage Current

Gate Threshold Voltage

V_GS= -30V_DC

I_D= 250µA

V_DS= V_GS

2.0

4.0

Volt

R_DS(on)V_GS= 10V_DC, I_D= 4.8A

0.85

Static Drain to Source On - Resistance

Q_G

Gate Charge

9.0

I_D= 8.0A

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Q_GS

V_DS= 400V_DC

V_GS= 10V_DC

Q_GD

C_ISS

Input Capacitance

Output Capacitance

Transfer Capacitance

1018

155

8.0

C_OSS

C_RSS

V_DS= 25V_DC, V_GS= 0V_DC, f = 1.0MHZ

Turn On Delay Time

Turn Off Delay Time

Rise Time

(on)

(off)

V_DD= 250V_DC, I_D= 8.0A, R_G= 9.1

R_D= 31

Fall Time

Continuous Source Current

Pulsed Source Current

I_S

I_SM

2.0

510

V_GS= 0V_DC, I_S=8.0A,Tp = 300µS

Forward Voltage (Diode)

Single Pulse Avalanche Energy

Repetive Avalanche Energy

Avalanche Current

V_SD

E_AS

E_AR

I_AR

(Tj = 25 C unless stated otherwise)

MAXIMUM RATINGS

Parameter

Condition

Symbol

V_GS

Value

+/- 30V

500

Unit

Volt

Amp

Gate to Source Voltage

Drain to Source

Voltage

Continuous Drain Current

V_DSS

I_D

8.0

I_DM

P_D

Amp

Pulsed Drain Current

Total Power Dissapation

125

(T_A= 25 C)

Thermal Resistance

(Junction to Ambient)

R_TH

C/W

(J-A)

Maximum Operating Temperature Range (Tj) -55 to +150

Maximum Storage Temperature Range (Tstg) -55 to +150

Mechanical Dimensions

DIMENSIONS

Millimetres

Min Max

10.29 10.54

Inches

Case TO-220-AB Plastic

Dim

Min

Max

0.405

0.103

0.240

0.139

0.584

0.415

0.113

0.255

0.149

0.600

2.62

6.10

3.54

14.84

13.47

1.15

2.87

6.47

3.78

1 - Gate

2 & 4 - Drain

3 - Source

15.24

14.09

0.530 0.555

0.045

2 3

1.15

1.400

2.54

4.06

4.69

1.32

0.045

0.055

0.100

0.160

0.185

0.052

0.115

0.022

0.037

3.550

4.20

1.22

2.64

0.48

0.69

0.140

0.165

0.048

2.92

0.55

0.93

0.104

0.018

0.027

中文翻译

下载PDF

与IRF840A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF840AF	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF840AJ	MOTOROLA	获取价格	8A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF840AL	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.85ohm, Id=8.0A)
IRF840AL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840AL	TRSYS	获取价格	Power MOSFET
IRF840ALPBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF840ALPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840APBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRF840APBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840AS	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与IRF840A相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

52
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

41
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

69
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

65

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF840A

IRF840A 技术参数

IRF840A 数据手册

与IRF840A相关器件

与IRF840A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF840A

IRF840A 技术参数

IRF840A 数据手册

与IRF840A相关器件

与IRF840A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？