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IRF830

更新时间： 2024-01-04 22:43:52

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
7页	60K
描述
PowerMOS transistor Avalanche energy rated

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IRF830 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.04	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	74 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF830 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

PowerMOS transistor

Avalanche energy rated

IRF830

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast switching

V_DSS= 500 V

I_D= 5.9 A

• High thermal cycling performance

• Low thermal resistance

R_DS(ON)≤ 1.5 Ω

GENERAL DESCRIPTION

PINNING

SOT78 (TO220AB)

N-channel, enhancement mode

DESCRIPTION

tab

field-effect

power

transistor,

intended for use in off-line switched

mode power supplies, T.V. and

computer monitor power supplies,

d.c.tod.c. converters, motorcontrol

circuits and general purpose

switching applications.

gate

drain

source

drain

tab

1 2 3

The IRF830 is supplied in the

SOT78 (TO220AB) conventional

leaded package.

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DSS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-source voltage

T_j= 25 ˚C to 150˚C

500

± 30

5.9

Drain-gate voltage

T_j= 25 ˚C to 150˚C; R_GS= 20 kΩ

Gate-source voltage

Continuous drain current

T_mb= 25 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 100 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 25 ˚C

3.7

I_DM

P_D

T_j, T_stg

Pulsed drain current

Total dissipation

Operating junction and

storage temperature range

125

150

T_mb= 25 ˚C

˚C

- 55

AVALANCHE ENERGY LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

E_AS

Non-repetitive avalanche

energy

Unclamped inductive load, I_AS= 4.2 A;

t_p= 0.21 ms; T_jprior to avalanche = 25˚C;

287

_DD≤ 50 V; R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V; refer

to fig:17

E_AR

Repetitive avalanche energy¹I_AR= 5.9 A; t_p= 2.5 µs; T_jprior to

avalanche = 25˚C; R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

refer to fig:18

Repetitive and non-repetitive

avalanche current

I_AS, I_AR

5.9

1 pulse width and repetition rate limited by T_jmax.

March 1999

Rev 1.000

12 3 4 5 6 7

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