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IRF830

更新时间： 2024-11-26 12:23:43

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3页	109K
描述
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

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IRF830 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
雪崩能效等级（Eas）：	280 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	60 pF
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	74 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	85 ns
最大开启时间（吨）：	60 ns	Base Number Matches：	1

IRF830 数据手册

SEMICONDUCTORS

IRF830

N CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOS TRANSISTORS

FEATURE

N channel in a plastic TO220 package.

They are intended for use in off-line switched mode power

supplies, T.V. and computer monitor power supplies.

DC-DC converters, motor control circuits and general purpose

switching applications

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

V_DS

I_DS

I_DM

Drain-Source Voltage

Continuous Drain Current T_C= 37°C

500

4.5

Pulsed Drain Current T_C= 25°C

I_AR

Avalanche Current, Limited by T_jmax

Avalanche Energy, Single pulse

Avalanche Energy, Periodic Limited by T_jmax

Gate-Source Voltage

Drain-Source on Resistance

Power Dissipation at Case Temperature T_C= 25°C

Operating Temperature

4.5

280

7.4

1.5

E_AS

E_AR

V_GS

R_DS(on)

P_T

Ω

150

t_J

t_stg

°C

Storage Temperature range

-55 to +150

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Thermal Resistance, junction-case

Thermal Resistance, junction-ambient

Value

1.7

Unit

R_thJC

R_thJA

°C/W

1/3

09/11/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

12 3

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