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IRF7705GPBF

更新时间： 2024-11-27 05:39:27
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 236K
描述
HEXFET® Power MOSFET Ultra Low On-Resistance

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IRF7705GPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, TSSOP-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-153AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7705GPBF 数据手册

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PD-96142A  
IRF7705GPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel MOSFET  
l Very Small SOIC Package  
l Low Profile ( < 1.2mm)  
l Available in Tape & Reel  
l Lead-Free  
VDSS  
-30V  
RDS(on) max (mW)  
18 @VGS = -10V  
ID  
-8.0A  
30 @VGS = -4.5V  
-6.0A  
l Halogen-Free  
Description  
HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve ex-  
tremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the ruggedized device design, that Inter-  
national Rectifier is well known for, provides the de-  
signer with an extremely efficient and reliable device  
for use in battery and load management.  
TSSOP-8  
The TSSOP-8 package has 45% less footprint area than  
the standard SO-8. This makes the TSSOP-8 an ideal  
device for applications where printed circuit board space  
is at a premium. The low profile (<1.2mm) allows it to fit  
easily into extremely thin environments such as portable  
electronics and PCMCIA cards.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain- Source Voltage  
Max.  
-30  
Units  
V
VDS  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current   
-8.0  
-6.0  
A
-30  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation ƒ  
1.5  
W
Power Dissipation ƒ  
0.96  
Linear Derating Factor  
0.012  
± 20  
W/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
Max.  
83  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
05/14/09  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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