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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, SO-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.17 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 96 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.029 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7488TRPBF | INFINEON |
类似代替  |
Transistor, |
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| IRF7488 | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7488TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Transistor, |
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| IRF7490 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7490PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7490TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRF7490TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 100V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRF7491 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7491PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7492 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7492PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7492TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
High frequency DC-DC converters |
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