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IRF7331TRPBF-1

更新时间： 2024-11-13 20:43:55

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Small Signal Field-Effect Transistor

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IRF7331TRPBF-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IRF7331TRPBF-1 数据手册

IRF7331PbF-1

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 4.5V)

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 2.5V)

Q_{g (typical)}

I_D

Top View

SO-8

7.0

(@T_A= 25°C)

Features

Industry-standard pinout SO-8 Package

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

Benefits

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

⇒

MSL1, Industrial qualification

Standard Pack

Form

Base Part Number

Package Type

Orderable Part Number

Quantity

Tube/Bulk

Tape and Reel

4000

IRF7331PbF-1

IRF7331TRPbF-1

IRF7331PbF-1

SO-8

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain- Source Voltage

Max.

Units

V_DS

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current

7.0

5.5

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

2.0

1.3

mW/°C

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 12

T_J,T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

Thermal Resistance

Symbol

R_θJL

Parameter

Junction-to-Drain Lead

Typ.

–––

Max.

Units

R_θJA

Junction-to-Ambient

–––

62.5

°C/W

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November 18, 2013

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRF7335D1PBF	INFINEON	获取价格	Dual FETKY Co-Packaged Dual MOSFET Plus Schottky Diode
IRF7335D1TRPBF	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
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