IRF7331

更新时间： 2024-09-24 23:16:43

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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HEXFET Power MOSFET

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IRF7331 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子面层：	NOT SPECIFIED	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF7331 数据手册

PD - 94225

IRF7331

HEXFET^®Power MOSFET

l Ultra Low On-Resistance

l Dual N-Channel MOSFET

l Surface Mount

V_DSS

20V

R_DS(on)max (mΩ)

30@V_GS= 4.5V

I_D

7.0A

45@V_GS= 2.5V

5.6A

l Available in Tape & Reel

Description

These N-Channel HEXFET power MOSFETs from

International Rectifier utilize advanced processing

techniquestoachievetheextremelylowon-resistance

per silicon area. This benefit provides the designer

with an extremely efficient device for use in battery

and load management applications.

G 1

D 1

G 2

D 2

Top View

SO-8

The SO-8 has been modified through a customized

leadframe for enhanced thermal characteristics and

multiple-die capability making it ideal in a variety of

powerapplications. Withtheseimprovements,multiple

devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically

reduced board space. The package is designed for

vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain- Source Voltage

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current

7.0

5.5

2.0

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Power Dissipation

1.3

Linear Derating Factor

mW/°C

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 12

T_J,T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

Thermal Resistance

Symbol

R_θJL

Parameter

Junction-to-Drain Lead

Typ.

–––

Max.

Units

R_θJA

Junction-to-Ambient

–––

62.5

°C/W

www.irf.com

7/17/01

12 3 4 5 6 7...9

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IRF7331 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF7331TRPBF	INFINEON	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDS6911	FAIRCHILD	功能相似	Dual N-Channel Logic Level PowerTrench㈢ MOSFE
IRF7331PBF	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET

与IRF7331相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF7331PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF7331PBF_08	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET
IRF7331PBF-1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor
IRF7331TR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRF7331TRPBF	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
IRF7331TRPBF-1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor
IRF7333	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| SO
IRF7335D1	INFINEON	获取价格	Dual FETKY CO-PACKAGED DUAL MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE
IRF7335D1PBF	INFINEON	获取价格	Dual FETKY Co-Packaged Dual MOSFET Plus Schottky Diode
IRF7335D1TRPBF	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-

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