Datasheet > IRF730

IRF730

更新时间： 2024-05-23 22:22:24

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF730 数据手册

IRF730

Rev.H Jul.-2018

DATA SHEET

描述 / Descriptions

TO-220 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package.

特征 / Features

低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。

Low gate charge, low crss, fast switching.

用途 / Applications

用于高效 DC/DC 转换和功率开关。

These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power

supplies.

内部等效电路 / Equivalent Circuit

引脚排列 / Pinning

PIN1：G

PIN 2：D

PIN 3：S

放大及印章代码 / h_FEClassifications & Marking

见印章说明。 See Marking Instructions.

http://www.fsbrec.com

1 / 6

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF730_R4943	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF730-007	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF730-007PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF7301	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.050ohm)
IRF73016	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF7301PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF7301TR	UMW	获取价格	种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°
IRF7301TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF7303	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.050ohm)
IRF7303PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0