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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF730_R4943 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRF730-007 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF730-007PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF7301 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.050ohm) |
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| IRF73016 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF7301PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7301TR | UMW |
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种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25° |
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| IRF7301TRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF7303 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.050ohm) |
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| IRF7303PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0 |
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