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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.041 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7241PBF | INFINEON |
功能相似  |
HEXFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7241PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7241TR | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-40V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IRF7241TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF730 | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Avalanche energy rated |
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| IRF730 | ROCHESTER |
获取价格 |
5.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF730 | ISC |
获取价格 |
N-channel mosfet transistor |
|
| IRF730 | DCCOM |
获取价格 |
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRF730 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET |
|
| IRF730 | INTERSIL |
获取价格 |
5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| IRF730 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V |
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