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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.6 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 43 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7240TRPBF | INFINEON |
完全替代  |
Ultra Low On-Resistance |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7240TR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRF7240TR | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-40V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IRF7240TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
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| IRF7241 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7241PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7241TR | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-40V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IRF7241TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF730 | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Avalanche energy rated |
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| IRF730 | ROCHESTER |
获取价格 |
5.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF730 | ISC |
获取价格 |
N-channel mosfet transistor |
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