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IRF7201TR

更新时间： 2024-10-31 12:28:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 119K
描述
Generation V Technology

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IRF7201TR 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：70 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：7.3 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：58 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7201TR 数据手册

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PD- 91100D  
IRF7201  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l N-Channel MOSFET  
l Surface Mount  
l Available in Tape & Reel  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
A
A
1
2
3
4
8
S
S
S
G
D
VDSS = 30V  
7
D
6
D
5
D
RDS(on) = 0.030Ω  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance  
per silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that  
HEXFET MOSFETs are well known for, provides the  
designerwithanextremelyefficientandreliabledevice  
for use in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
powerapplications. Withtheseimprovements,multiple  
devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically  
reduced board space. The package is designed for  
vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.  
Power dissipation of greater than 0.8W is possible in  
a typical PCB mount application.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain- Source Voltage  
30  
V
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
Power Dissipation  
7.3  
5.8  
A
58  
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 70°C  
2.5  
W
Power Dissipation  
1.6  
0.02  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
VGSM  
EAS  
Gate-to-Source Voltage Single Pulse tp<10µs  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
30  
V
70  
mJ  
V/ns  
°C  
dv/dt  
TJ, TSTG  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
5.0  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientꢀ  
Typ.  
–––  
Max.  
50  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
08/15/03  
1234567

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IRF7201TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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