是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.68 |
其他特性: | ULTRA LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级(Eas): | 70 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 7.3 A | 最大漏源导通电阻: | 0.03 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | MS-012AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 58 A | 表面贴装: | YES |
端子面层: | NOT SPECIFIED | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF7201TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FDS9412A | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 8A, 21mOhm | |
IRF7201PBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF72016 | MOTOROLA |
获取价格 |
3A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
IRF7201PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET | |
IRF7201TR | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology | |
IRF7201TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRF7202 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SO | |
IRF7203 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4.3A I(D) | SO | |
IRF7203TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
IRF7204 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.060ohm, Id=-5.3A) | |
IRF7204PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET | |
IRF7204TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |