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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF634-001 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF634-001PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF634-004 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF634-004PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF634-024 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF634A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRF634B | SUNTAC |
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POWER MOSFET |
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| IRF634B | KERSEMI |
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250V N-Channel MOSFET |
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| IRF634B | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
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| IRF634B-FP001 | ONSEMI |
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分立式 MOSFET |
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晶圆厂易主：Coherent公司2000万英镑出售苹果供应链关键资产
Galaxy S25系列或全系搭载骁龙8 Elite
三大厂商12层HBM3E进展迅速
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
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