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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.05 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 74 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF634-001 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF634-001PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF634-004 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF634-004PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF634-024 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF634A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
|
| IRF634B | SUNTAC |
获取价格 |
POWER MOSFET |
|
| IRF634B | KERSEMI |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| IRF634B | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| IRF634B-FP001 | ONSEMI |
获取价格 |
分立式 MOSFET |
|
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