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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.1 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF634-004PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF634-024 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF634A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRF634B | SUNTAC |
获取价格 |
POWER MOSFET |
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| IRF634B | KERSEMI |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| IRF634B | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| IRF634B-FP001 | ONSEMI |
获取价格 |
分立式 MOSFET |
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| IRF634F | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IRF634FP | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP |
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| IRF634FPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
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