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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF625-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF625-013PBF | INFINEON |
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3.8A, 250V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF625PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF626 | ROCHESTER |
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3.8A, 275V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF626 | RENESAS |
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3.8A, 275V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF627 | RENESAS |
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3.3A, 275V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF630 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF630 | DCCOM |
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRF630 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF630 | ISC |
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N-channel mosfet transistor |
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