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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF623-012PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF623-013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF623FI | STMICROELECTRONICS |
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3.5A, 150V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF623PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF623R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
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| IRF624 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF624 | ROCHESTER |
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3.8A, 250V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF624 | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
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| IRF624 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF624 | RENESAS |
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3.8A, 250V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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