5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF620S, SiHF620S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF620SPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF620SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET (VDSS=200V , RDS(on)=0.80 |
|
| IRF620STRL | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRF620STRL | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF620STRLPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF620STRR | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF620STRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRF620STRRPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF620T | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
