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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF5M5210DPBF
IRF5M5210DPBF PDF预览

IRF5M5210DPBF

更新时间： 2024-02-06 23:43:01
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
7页 115K
描述
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, 3 PIN

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IRF5M5210DPBF 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-254AA
包装说明：FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.12雪崩能效等级（Eas）：520 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：34 A最大漏源导通电阻：0.07 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-MSFM-P3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：136 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF5M5210DPBF 数据手册

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PD - 94247  
HEXFET® POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
IRF5M5210  
100V, P-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BV  
RDS(on)  
ID  
DSS  
IRF5M5210  
-100V  
0.07Ω  
-34A  
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance  
per silicon unit area. This benefit, combined with the  
fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice  
for use in a wide variety of applications.  
TO-254AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Avalanche Energy Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
These devices are well-suited for applications such  
as switching power supplies, motor controls, invert-  
ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse  
circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-34  
-21  
D
GS  
C
A
I
D
= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
GS  
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
-136  
125  
DM  
@ T = 25°C  
P
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
1.0  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
520  
mJ  
A
AS  
I
-21  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
12.5  
3.4  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063in./1.6mm from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
06/13/01  
1234567

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与IRF5M5210DPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF5M5210PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF5M5210SCS INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor,
IRF5M5210SCV INFINEON

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 		-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TXV
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