Datasheet > IRF5M5210A

IRF5M5210A

更新时间： 2024-01-03 19:31:14

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	458K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF5M5210A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
雪崩能效等级（Eas）：	520 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	34 A
最大漏极电流 (ID)：	34 A	最大漏源导通电阻：	0.07 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	136 A
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	220 ns
最大开启时间（吨）：	178 ns	Base Number Matches：	1

IRF5M5210A 数据手册

PD-94247A

IRF5M5210

POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-254AA)

100V, P-CHANNEL

HEXFET MOSFET TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number

R_DS(on)

I_D

IRF5M5210

-34A

0.07

TO-254AA

Description

Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from IR HiRel

utilize advanced processing techniques to achieve the

lowest possible on-resistance per silicon unit area. This

benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs

are well known for, provides the designer with an extremely

efficient device for use in a wide variety of applications.

Features



Low R_DS(on)

Avalanche Energy Ratings

Dynamic dv/dt Rating

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Light Weight

These devices are well-suited for applications such as switching

power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio

amplifiers and high-energy pulse circuits.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

-34

I_D@ V_GS= -10V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D@ V_GS= -10V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

-21

-136

125

1.0

I_DM

Pulsed Drain Current 

W/°C

P_D@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

Avalanche Current 

± 20

520

V_GS

E_AS

I_AR

-21

12.5

V/ns

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

-3.4

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)

9.3 (Typical)

Weight

For Footnotes refer to the page 2.

2016-06-23

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IRF5M5210A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF5M5210D	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF5M5210DPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF5M5210PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF5M5210SCS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IRF5M5210SCV	INFINEON	获取价格	-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TXV
IRF5M5210SCX	INFINEON	获取价格	-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TX
IRF5M5210U	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF5M5210UPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRF5N3205	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=55A*)
IRF5N3205_05	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)

与IRF5M5210A相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

4
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

4
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

4
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF5M5210A

IRF5M5210A 技术参数

IRF5M5210A 数据手册

与IRF5M5210A相关器件

与IRF5M5210A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF5M5210A

IRF5M5210A 技术参数

IRF5M5210A 数据手册

与IRF5M5210A相关器件

与IRF5M5210A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？