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IRF531

更新时间: 2024-09-15 22:51:35
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 161K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

IRF531 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.66其他特性:LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):14 A
最大漏极电流 (ID):14 A最大漏源导通电阻:0.18 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):150 pF
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:75 W最大功率耗散 (Abs):79 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):56 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):85 ns最大开启时间(吨):105 ns
Base Number Matches:1

IRF531 数据手册

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