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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.58 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF530WC | MOTOROLA |
获取价格 |
14A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF531 | HARRIS |
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N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
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| IRF531 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| IRF531 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
|
| IRF531 | MOTOROLA |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| IRF531 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF531 | STMICROELECTRONICS |
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N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
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| IRF531 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 80V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
|
| IRF531-001 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF531-002 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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