5秒后页面跳转
IRF530R PDF预览

IRF530R

更新时间: 2024-09-14 21:53:23
品牌 Logo 应用领域
哈里斯 - HARRIS /
页数 文件大小 规格书
5页 394K
描述
N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated

IRF530R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.65
雪崩能效等级(Eas):69 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):14 A最大漏极电流 (ID):14 A
最大漏源导通电阻:0.16 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:79 W最大功率耗散 (Abs):79 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):56 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):71 ns最大开启时间(吨):66 ns
Base Number Matches:1

IRF530R 数据手册

 浏览型号IRF530R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF530R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF530R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF530R的Datasheet PDF文件第5页 

与IRF530R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF530S VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRF530S MOTOROLA

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF530S INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A)
IRF530S, SiHF530S VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRF530SPBF VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRF530SPBF INFINEON

获取价格

HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF530STR INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF530STRL VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF530STRLPBF VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRF530STRR INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met