是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 0.62 |
雪崩能效等级(Eas): | 69 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 14 A | 最大漏极电流 (ID): | 14 A |
最大漏源导通电阻: | 0.16 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 88 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 56 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Powers | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFB4212PBF | INFINEON |
功能相似 |
DIGITAL AUDIO MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF530R | HARRIS |
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N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated | |
IRF530S | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRF530S | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRF530S | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A) | |
IRF530S, SiHF530S | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRF530SPBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRF530SPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET | |
IRF530STR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRF530STRL | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRF530STRLPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |