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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF521-012 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF521-012PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF521-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF521-013PBF | INFINEON |
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9.2A, 80V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF5210L | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A) |
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| IRF5210LHR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF5210LPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF5210PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF5210S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A) |
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| IRF5210S | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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