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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.3 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRF343R | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,8.3A I(D),TO-204AA |
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| IRF-3470UH+-10%ERE2 | VISHAY | General Purpose Inductor, 470uH, 10%, Ferrite-Core, |
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| IRF-3470UH+-10%ESE2 | VISHAY | General Purpose Inductor, 470uH, 10%, Ferrite-Core, |
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| IRF-3470UH+-10%EVE2 | VISHAY | General Purpose Inductor, 470uH, 10%, Ferrite-Core, |
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| IRF-3470UH+-5%ERE2 | VISHAY | General Purpose Inductor, 470uH, 5%, Ferrite-Core, |
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| IRF-3470UH+-5%ESE2 | VISHAY | General Purpose Inductor, 470uH, 5%, Ferrite-Core, |
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