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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 520 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 33 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 111 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 62 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRF343 | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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|
| IRF343 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V |
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|
| IRF343 | SAMSUNG | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF343 | NJSEMI | Trans MOSFET N-CH 350V 8.3A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF343R | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,8.3A I(D),TO-204AA |
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| IRF-3470UH+-10%ERE2 | VISHAY | General Purpose Inductor, 470uH, 10%, Ferrite-Core, |
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